Positioning of the Fermi Level in Graphene Devices with Asymmetric Metal Electrodes
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- Año de publicación 2010
- Idioma Inglés
- Publicado por Revista VirtualPRO,
- Descripción
- Para dilucidar el efecto de la función de trabajo sobre la posición del punto de Dirac, fabricamos dispositivos de grafeno con contactos metálicos asimétricos. Midiendo la posición pico de la resistencia para cada par de electrodos metálicos, obtuvimos el voltaje del punto de Dirac VgDirac (V) a partir de la respuesta de puerta. Encontramos que la posición de VgDirac (V) en los dispositivos híbridos estaba significativamente influenciada por el tipo de electrodo metálico. Los desplazamientos medidos en VgDirac (V) estaban estrechamente relacionados con las funciones de trabajo modificadas de los complejos metal-grafeno. Dentro de un cierto rango de polarización, el nivel de Fermi de uno de los contactos se alineó con la banda de electrones y el del otro contacto con la banda de huecos.
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Citación recomendada (normas APA)
- Hindawi Publishing Corporation, "Positioning of the Fermi Level in Graphene Devices with Asymmetric Metal Electrodes", -:Revista VirtualPRO,, 2010. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3659969/), el día 2024-05-13.
