Morphology and Optical Investigations of InAs-QD/GaAs Heterostructures Obtained by Ion-Beam Sputtering

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Descripción: Se propone una nueva técnica de pulverización iónica para obtener puntos cuánticos de InAs autoensamblados sobre sustratos de GaAs (001). En el presente trabajo se demuestra que un aumento de la temperatura en un intervalo de 450 a 550°C con una corriente de iones de 120 ?A y una energía de 150 eV conduce a una expansión de los tamaños medios de los puntos cuánticos de InAs hut. Según las mediciones de microscopía electrónica y de fuerza atómica, fotoluminiscencia y capacidad-voltaje, se descubrió que un aumento de la corriente del haz de iones de 60 a 120 ?A a una temperatura de 500°C y una energía de 150 eV aumenta ligeramente los tamaños medios de los puntos cuánticos de 15 nm a 18 nm, mientras que su dispersión es de aproximadamente el 30%. Con una corriente de 180 ?A la densidad superficial es de 1,3-1011 cm-2, pero en estas condiciones la dispersión de los puntos cuánticos es muy elevada, de hasta el 50%.
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi Publishing Corporation, "Morphology and Optical Investigations of InAs-QD/GaAs Heterostructures Obtained by Ion-Beam Sputtering", -:Revista VirtualPRO,, 2016. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3909501/), el día 2025-06-21.

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