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A Combined Ion Implantation/Nanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping

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Autor
Año de publicación 2011
Idioma Inglés
Publicado por Revista VirtualPRO,

Descripción: La explotación de nanoestructuras de Si para dispositivos electrónicos y optoelectrónicos depende de su dopado electrónico. Investigamos una metodología para el dopado con As de nanoestructuras de Si aprovechando las ventajas de la implantación por haz de iones y la dinámica de fusión por irradiación láser de nanosegundos. Ilustramos el comportamiento del As cuando se confina, mediante la técnica de implantación, en una multicapa de SiO2/Si/SiO2 y su redistribución espacial tras los procesos de recocido. La acumulación de As en las interfases Si/SiO2 se observó mediante espectrometría de retrodispersión Rutherford de acuerdo con un modelo que asume una distribución de trampas en el Si en los primeros 2-3 nm por encima de las interfases SiO2/Si. Se ha evaluado una concentración de 1014 trampas/cm2. Este resultado abre perspectivas para el dopado con As de nanoclusters de Si embebidos en SiO2, ya que un nanocluster de Si de radio 1 nm embebido en SiO2 debería atrapar 13 átomos de As en la interfase. Con el fin de promover la incorporación de As en los nanoclusters para un dopaje efectivo, se investigó un enfoque basado en la implantación iónica y la irradiación láser de nanosegundos. Se produjeron nanoclusters de Si en una capa de SiO2. Tras la implantación de iones de As y la irradiación láser de nanosegundos, las medidas de elipsometría espectroscópica muestran propiedades ópticas de los nanoclusters coherentes con su dopaje efectivo.
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi Publishing Corporation, "A Combined Ion Implantation/Nanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping", -:Revista VirtualPRO,, 2011. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3909360/), el día 2025-12-19.

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Fuente Revista Virtual Pro
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Año de publicación 2011

A Combined Ion Implantation/Nanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping

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