XPS Studies of Electrodeposited Grown F-Doped ZnO Rods and Electrical Properties of p-Si/n-FZN Heterojunctions

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Descripción: La composición química de las barras de ZnO (FZN) electrodepositadas sin dopar y dopadas con F se investigó mediante espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS). Estos resultados confirmaron la existencia de F como elemento dopante en la red cristalina de ZnO. Se fabricaron los diodos de heterounión p-Si/n-ZnO y p-Si/n-FZN y se investigaron sus propiedades eléctricas. Algunos parámetros pertenecientes a estos diodos, como el factor de idealidad (n), la altura de barrera ( ? B ) y la resistencia en serie ( R s ), se calcularon a partir de las curvas corriente-voltaje (I-V) que mostraban un comportamiento rectificador utilizando la teoría de emisión termoiónica, la función de Norde y el método de Cheung. Existe una buena concordancia entre los parámetros del diodo obtenidos a partir de diferentes métodos.
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi Publishing Corporation, "XPS Studies of Electrodeposited Grown F-Doped ZnO Rods and Electrical Properties of p-Si/n-FZN Heterojunctions", -:Revista VirtualPRO,, 2016. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3907529/), el día 2025-05-29.

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