Field Effect on Crystal Phase of Silicon in Si/CeO2/SiO2 Structure

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Descripción: Se han estudiado las propiedades estructurales, ópticas y de conductividad de una película de silicio depositada sobre una capa amortiguadora de dióxido de cerio. La estructura electrónica del sistema consta de varios niveles de defectos dentro del band gap. La distribución espacial de la temperatura desempeña un gran papel en la cristalización del silicio. Se investigó la destrucción de la fase cristalina y su restauración tras el recocido.
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi Publishing Corporation, "Field Effect on Crystal Phase of Silicon in Si/CeO2/SiO2 Structure", -:Revista VirtualPRO,, 2008. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3905158/), el día 2025-05-23.

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