The Effect of Metal-Semiconductor Contact on the Transient Photovoltaic Characteristic of HgCdTe PV Detector

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Descripción: Se estudia la característica fotovoltaica transitoria de un conjunto fotovoltaico (PV) de HgCdTe utilizando un láser ultra rápido. La fotorespuesta muestra un valle negativo aparente primero, luego evoluciona hacia un pico positivo. Al emplear un modelo teórico combinado de unión y potencial de Schottky, se pueden interpretar bien estas curvas de cambio de polaridad de la fotorespuesta. Se puede lograr una disminución obvia de la relación entre el valle negativo y el pico positivo al limitar el área de iluminación del electrodo del conjunto. Esto muestra que el efecto fotoeléctrico de la barrera de Schottky en la interfaz metal-semiconductor (M/S) está suprimido, lo cual verificará la corrección del modelo. Los parámetros característicos de la fotorespuesta transitoria inducida por la unión y el potencial de Schottky se extraen ajustando la curva de respuesta utilizando este modelo. Se muestra que la respuesta PV negativa inducida por la barrera de Schottky disminuye el fotovoltaje positivo generado
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi Publishing Corporation, "The Effect of Metal-Semiconductor Contact on the Transient Photovoltaic Characteristic of HgCdTe PV Detector", -:Revista VirtualPRO,, 2013. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3935112/), el día 2025-11-08.

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