Understanding the Resistive Switching Phenomena of Stacked Al/AlO/Al Thin Films from the Dynamics of Conductive Filaments

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Descripción: Presentamos las características de conmutación resistiva de dispositivos Metal-Insulator-Metal (MIM) basados en AlO amorfo que se deposita mediante Depósito de Capa Atómica (ALD). La temperatura máxima de procesamiento para este dispositivo de memoria es de 300 ºC, lo que lo hace ideal para el procesamiento Back-End-of-Line (BEOL). Aunque se obtienen algunas variaciones en las tensiones de formación, establecimiento y reinicio (, , y ) para muchos de los dispositivos MIM medidos (principalmente debido a variaciones de rugosidad de las interfaces MIM observadas después del análisis de microscopía de fuerza atómica), el efecto se ha obtenido después de mediciones cíclicas. Estas transiciones resistivas en el óxido metálico ocurren tanto para condiciones como para , mientras que la relación es de alrededor de 46 órdenes de magnitud y se forma a tensiones de compuerta de V. En modo unipolar, se observa una reducción gradual en y está relacionada con la combinación de (a) disolución incom
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi, "Understanding the Resistive Switching Phenomena of Stacked Al/AlO/Al Thin Films from the Dynamics of Conductive Filaments", -:Revista VirtualPRO,, 2017. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3844031/), el día 2025-06-09.

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