En el artículo se propone un nuevo método de recubrimiento para el susceptor de grafito GaN-MOCVD, que consiste en cubrir la superficie superior y los laterales del susceptor de grafito con un recubrimiento de material de baja emisividad, y la superficie bajo el susceptor con un recubrimiento de SiC de alta emisividad. Utilizando el software de análisis por elementos finitos COMSOL Multiphysics, se obtiene y compara el campo de temperatura de los susceptores sin recubrimiento, con recubrimiento de SiC común y con recubrimiento mejorado, lo que demuestra que el susceptor con el recubrimiento mejorado no sólo aumenta la eficacia calorífica del calentador, sino que también mejora la uniformidad de la temperatura del sustrato, lo que puede ser muy beneficioso para el crecimiento de la película. Además, este recubrimiento mejorado para el susceptor tiene la misma sensibilidad de calentamiento que el recubrimiento común de SiC.

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