Registro Municipal - Año XLVII N. 14

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Descripción: La tensión de umbral (VTH) es el parámetro vital indispensable en el diseño, modelado y funcionamiento de los MOSFET. Existen diversos métodos de exposición y extracción para modelar las características de transición on-off del dispositivo. Los criterios que rigen la definición de un voltaje umbral y un método de extracción eficaces son la claridad, la sencillez, la precisión y la estabilidad en todas las condiciones de funcionamiento y el nodo tecnológico. Los resultados de los métodos de extracción difieren de los valores exactos debido a diversos efectos de canal corto (SCE) y no idealidades presentes en el dispositivo. En el manuscrito se propone un nuevo enfoque para definir y extraer el valor real de VTH del MOSFET. Se elabora, modela y compara el nuevo método de extracción de VTH independiente de SCE denominado "método de extracción de VTH por extrapolación híbrida" (HEEM) con algunos métodos de extracción de tensión umbral de MOSFET habituales para validar los resultados. Todos los resultados se verifican mediante una extensa simulación TCAD 2D y se confirman analíticamente en varios nodos tecnológicos.
Citación recomendada (normas APA)
: Hindawi, "Modeling, Simulation, and Analysis of Novel Threshold Voltage Definition for Nano-MOSFET", -:Revista VirtualPRO,, 2017. Consultado en línea en la Biblioteca Digital de Bogotá (https://www.bibliotecadigitaldebogota.gov.co/resources/3909527/), el día 2025-06-21.

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