Electrical Properties of Polytypic Mg Doped GaAs Nanowires
Se investigan las propiedades de transporte eléctrico de nanocables individuales de GaAs dopados con Mg. Se demuestra que el Mg puede utilizarse con éxito como dopante no tóxico de tipo p en nanocables de GaAs. Los niveles de dopaje, con una expansión de más de dos órdenes de magnitud, y la movilidad de los huecos libres en los NW se obtuvieron mediante el análisis de las curvas de transferencia de los transistores de efecto campo. La dependencia de la temperatura de la resistividad eléctrica por encima de la temperatura ambiente muestra que la estructura politípica de los NWs modifica fuertemente los parámetros de transporte de carga de los NWs, como la energía de activación de la resistividad y la movilidad de los huecos. A temperaturas más bajas, los NW presentan una conducción de salto de rango variable. En los nanocables se identificaron claramente mecanismos de salto de rango variable tanto de Mott como de Efros-Shklovskii.
Fuente:
Revista Virtual Pro
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